作为电力电子领域最理想的开关器件之一，IGBT具有高压、高速、大电流三大特点，被广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。目前，IGBT器件已经从第一代发展到了第四代，它的工作频率可达到200KHz，功率容量从小功率（80-300A/500-1200V）的单管发展到超大功率（1000-1200A/2500-4500V）的模块，形成了系列化产品，产品覆盖面非常广。
 
在IGBT模块变流器装置中，最关键的参数之一是IGBT芯片的温度。直接测量的方法是将温度传感器安装在芯片上或者成为芯片的一部分。如此做将会减少承载芯片电流能力的有效区域。一个可行的替代方案用来确定芯片的温度，从测量基板的温度作为一个已知点开始，使用热模型计算IGBT温度。
 
IGBT模块的过热保护一般是采用散热器(包括普通散热器与热管散热器)，并可进行强迫风冷。在IGBT模块中安装NTC热敏芯片可以有效地检测功率模块的稳态壳温(Tc)。IGBT模块内封装的NTC热敏电阻参数完全相同，根据不同的IGBT模块，可将用于测量IGBT模块壳温的NTC温度传感器与NTC热敏芯片直接封装在同一个陶瓷基板(DCB)上，或是将NTC热敏电阻安装在一个单独的陶瓷基板上，使IGBT模块壳温的测量过程更高效便捷。
 
IGBT的内部结构是由NTC热敏电阻芯片，DBC和金属冷却板组成的，由上下三层材料组成，上下层为金属层，中间层为绝缘陶瓷层。性能优于陶瓷基板：重量更轻，导热性更好，可靠性更高。
 
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